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NXP Semiconductors
PESDxL4UF/G/W
Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
3. Ordering information
Table 4.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
PESD3V3L4UF
PESD5V0L4UF
PESD3V3L4UG
XSON6
SC-88A
plastic extremely thin small outline package;
no leads; 6 terminals; body 1 × 1.45 × 0.5 mm
plastic surface-mounted package; 5 leads
SOT886
SOT353
PESD5V0L4UG
PESD3V3L4UW
-
plastic surface-mounted package; 5 leads
SOT665
PESD5V0L4UW
4. Marking
Table 5.
Marking codes
Type number
PESD3V3L4UF
PESD5V0L4UF
PESD3V3L4UG
PESD5V0L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
Marking code [1]
A5
A6
L1*
L2*
A2
A1
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
5. Limiting values
Table 6. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PP
peak pulse power
t p = 8/20 μ s
[1][2][3]
-
30
W
I PP
peak pulse current
t p = 8/20 μ s
[1][2][3]
PESD3V3L4UF
-
3.0
A
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
-
2.5
A
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
I FSM
non-repetitive peak forward square wave;
-
3.5
A
PESDXL4UF_G_W_4
current
t p = 1 ms
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 28 February 2008
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